三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法

摘要

一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。传统聚偏氟乙烯是一种热塑性聚合物，有限的介电常数满足不了现代嵌入式电容器和半导体存储器件对材料高介电性能的要求，钛酸钡作为高介电常数的铁电陶瓷广泛应用于聚合物中改善聚合物的介电性能；但是掺杂量较高时，随着复合材料的介电性能的提高时其力学性能也急剧下降，达不到高容量电器元件对聚合物介电性能和力学性能的要求。一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层（2）的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（3），所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层（1）。本发明应用于三层介电聚偏氟乙烯薄膜的制备方法。

主权项

一种三层介电聚偏氟乙烯薄膜，其组成是：纯聚偏氟乙烯层，其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层的上面具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层，所述的纯聚偏氟乙烯层的下面也具有改性钛酸钡杂化聚偏氟乙烯层。