| 发明名称 | 半导体器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件在每个第一间隔将半导体存储器件的逻辑地址和物理地址之间的关系重新映射，该半导体器件可以包括：损耗均衡控制器，该损耗均衡控制器被配置成选择半导体存储器件的第一物理地址以将对应于半导体存储器件的第一物理地址的逻辑地址重新映射至半导体存储器件的第二物理地址，以及调节第一间隔。 | ||
| 申请公布号 | CN104572490A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410504433.0 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金东建;金弘植;权容技 |
| 分类号 | G06F12/06(2006.01)I | 主分类号 | G06F12/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;毋二省 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其在每个第一间隔重新映射半导体存储器件的逻辑地址和物理地址之间的关系，所述半导体器件包括：损耗均衡控制器，被配置成：选择半导体存储器件的第一物理地址，并且将对应于所述半导体存储器件的所述第一物理地址的所述半导体存储器件的逻辑地址重新映射至所述半导体存储器件的第二物理地址，以及调节所述第一间隔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||