发明名称 |
有源栅极之上的栅极触点结构及其制造方法 |
摘要 |
描述了布置在栅极的有源部分上的栅极触点结构以及形成这种栅极触点结构的方法。例如,一种半导体结构包括具有有源区和隔离区的衬底。栅极结构具有布置在所述衬底的有源区上的部分和布置在所述衬底的隔离区上的部分。源极区和漏极区布置在所述衬底的有源区中、并且位于所述栅极结构的布置在有源区上的部分的任一侧上。栅极触点结构布置在所述栅极结构的布置在所述衬底的有源区上的部分上。 |
申请公布号 |
CN104584222A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201380043706.X |
申请日期 |
2013.08.28 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
A·J·派特;T·加尼;M·博尔;C·韦布;H·戈麦斯;A·卡佩拉尼 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英;陈松涛 |
主权项 |
一种半导体结构,包括:衬底,所述衬底包括有源区和隔离区;栅极结构,所述栅极结构具有布置在所述衬底的所述有源区之上的部分以及布置在所述衬底的所述隔离区之上的部分;源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区被布置在所述衬底的所述有源区中,并且位于所述栅极结构的布置在所述有源区之上的部分的任一侧上;以及栅极触点结构,所述栅极触点结构被布置在所述栅极结构的布置在所述衬底的所述有源区之上的部分上。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |