发明名称 一种多孔二氧化硅的制备方法及其应用
摘要 本发明提供一种多孔二氧化硅的制备方法,包括如下步骤:1)以水玻璃为原料,通过离子交换、晶种制备、颗粒生长后,制得二氧化硅球核;2)在二氧化硅球核中,加入模板剂,并添加硅源,混合搅拌后,从而在二氧化硅球核上生长出多孔壳层;3)将包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒,经过滤、洗涤、干燥、煅烧或有机溶剂萃取,制得多孔二氧化硅颗粒。本发明提供的一种多孔二氧化硅的制备方法,能够制备出具备极高的比表面积,良好的化学活性及吸附特性的多孔二氧化硅颗粒,可应用于化学机械抛光液磨料,化工催化剂,以及药物载体等领域,且适用于大规模工业生产的需求。
申请公布号 CN104556071A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410843300.6 申请日期 2014.12.29
申请人 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明人 雷博;刘卫丽
分类号 C01B33/18(2006.01)I 主分类号 C01B33/18(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 许骅
主权项 一种多孔二氧化硅的制备方法,包括如下步骤:1)以水玻璃为原料,通过离子交换、晶种制备、颗粒生长后,制得二氧化硅球核;2)在步骤1)制得的二氧化硅球核中,加入模板剂,并添加硅源,混合搅拌后,从而在二氧化硅球核上生长出多孔壳层;3)选自以下任一步骤制备:A)将步骤2)中制得的包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒,经重复过滤、洗涤后,干燥、煅烧,制得多孔二氧化硅颗粒;B)将步骤2)中制得的包含二氧化硅球核及多孔壳层的颗粒,经有机溶剂萃取,制得多孔二氧化硅颗粒。
地址 201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢