| 发明名称 | 场致电子发射膜、场致电子发射元件、发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm<sup>2</sup>总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。 | ||
| 申请公布号 | CN104584178A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201380045316.6 | 申请日期 | 2013.08.12 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;同和控股(集团)有限公司 | 发明人 | 下位法弘;田路和幸;田中泰光;甲斐博之 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I;H01J63/06(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | 场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述的膜表面以每1mm<sup>2</sup>总延长2mm以上形成有宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述的槽的壁面露出碳纳米管。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||