发明名称 | 图像传感单元及其形成方法 | ||
摘要 | 一种图像传感单元及其形成方法,所述图像传感单元的形成方法包括:提供基底,所述基底内形成有金属插塞,所述金属插塞的表面与基底表面齐平;形成覆盖所述基底表面和金属插塞表面的介质层;在所述介质层表面形成具有开口的掩膜层,所述开口位于金属插塞表面正上方;沿所述开口,刻蚀所述介质层,形成凹槽,所述凹槽底部暴露出金属插塞的顶部表面;去除所述掩膜层;在所述凹槽内壁表面形成像素电极层;在所述像素电极层表面形成填充满所述凹槽并覆盖所述介质层的有机光电转换层。上述方法可以提高图像传感单元的性能。 | ||
申请公布号 | CN104576663A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
申请号 | CN201310505156.0 | 申请日期 | 2013.10.23 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种图像传感单元的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底内形成有金属插塞,所述金属插塞的表面与基底表面齐平;形成覆盖所述基底表面和金属插塞表面的介质层;在所述介质层表面形成具有开口的掩膜层,所述开口位于金属插塞表面正上方;沿所述开口,刻蚀所述介质层,形成凹槽,所述凹槽底部暴露出金属插塞的顶部表面;去除所述掩膜层;在所述凹槽内壁表面形成像素电极层;在所述像素电极层表面形成填充满所述凹槽并覆盖所述介质层的有机光电转换层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |