一种双层凸点二极管芯片制备方法

摘要

本发明专利为一种双层凸点二极管芯片的制备方法。该方法在二极管阴极和阳极金属化完成之后，在阴极和阳极键合点位置处通过植球的方式植入锡合金球，通过加热的方式使锡合金球融化，和金属电极形成欧姆接触，并形成双层凸点二极管芯片结构。本发明可以简化后道封装工艺，提高电信号传输，降低封装成本。

主权项

一种双层凸点二极管芯片制备方法，其特征在于二极管阴极和阳极金属化完成之后，在阴极和阳极键合点位置处通过植球的方式植入锡合金球，通过加热的方式使锡合金球融化，和金属电极形成欧姆接触，并形成双层凸点二极管芯片结构。