| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法、显示基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种具有宽长比增加的沟道结构的薄膜晶体管及其制造方法，以及包括该薄膜晶体管的显示基板和显示装置。该薄膜晶体管包括层叠在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和有源层，在有源层中形成有源极区域、漏极区域和沟道区域，其中有源层的面向栅极绝缘层的表面在沟道区域中至少部分地形成有非平面结构，以在沟道区域的宽度方向上形成非平面沟道结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104576761A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201510063966.4 | 申请日期 | 2015.02.06 |
| 申请人 | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 赵娜;许徐飞;史高飞 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪洋 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括层叠在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和有源层，在有源层中形成有源极区域、漏极区域和沟道区域，其中有源层的面向栅极绝缘层的表面在沟道区域中至少部分地形成有非平面结构，以在沟道区域的宽度方向上形成非平面沟道结构。 | ||
| 地址 | 230012 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号 | ||