近紫外光发射装置

摘要

本发明公开了一种近紫外光发射装置。该光发射装置包括n型接触层、p型接触层、设置在所述n型接触层和所述p型接触层之间的多重量子阱结构的活性区域、和设置在所述n型接触层和所述活性区域之间的至少一个电子阻挡层。n型接触层和p型接触层的每一个包括AlInGaN或AlGaN层，且电子阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成。另外，电子阻挡层包括比邻接的层更多的Al，以阻挡电子流入活性区域。因此，电子迁移率被降低，通过此提高了活性区域中电子和空穴的复合率。

主权项

一种近紫外光发射装置，包括：n型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层；P型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层；设置在所述n型接触层和所述p型接触层之间的多重量子阱结构的活性区域；和设置在所述n型接触层和所述活性区域之间的至少一个电子阻挡层，其中，多重量子阱结构的活性区域包括势垒层和阱层，势垒层由AlInGaN或AlGaN形成并且包括第一势垒层，其设置在最接近n型接触层处，并且包括比其他势垒层更多的Al，和其中，电子阻挡层由AlInGaN或AlGaN形成，且包含比邻接的层更多的Al，以阻挡电子流入活性区域。