发明名称 |
一种发光器件 |
摘要 |
本发明涉及一种发光器件,其包含具有一个以(100)晶面作为上表面的硅基底。在该上表面具有一个凹槽,凹槽的一部分被限定为硅基底的(111)晶面。该发光器件包含位于硅基底的其中一个(111)晶面上的GaN晶体结构;该GaN晶体结构包含一个非极性平面,及沿该非极性平面设置的第一表面。该发光器件还包含发光层,其位于GaN晶体结构的第一表面上。发光层具有至少一个含GaN的量子阱。该发光器件利用非极性和半极性GaN晶体表面作为量子阱基底,提高了发光效率和光发射强度,且发射光高度极化,并能为GaN单晶体提供非常低的缺陷密度,以提高器件的可靠性和使用寿命。 |
申请公布号 |
CN102593298B |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201210067680.X |
申请日期 |
2012.03.15 |
申请人 |
矽光光电科技(上海)有限公司 |
发明人 |
潘小和;陈杰;嘉鼎·斐;迈克·亨利肯 |
分类号 |
H01L33/16(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/16(2010.01)I |
代理机构 |
上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 |
代理人 |
周荣芳 |
主权项 |
一种发光器件,其特征在于,包含:一个具有(111)晶面的硅基底;一个位于所述硅基底的(111)晶面上的GaN晶体结构,所述GaN晶体结构具有与沿该GaN晶体结构上(1‑100)方向的m轴相垂直的一个非极性平面,和平行于该非极性平面的一个第一表面;以及,位于所述第一表面上的若干个发光层,所述发光层具有至少一个包含GaN的量子阱。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区张东路1387号51幢 |