具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，包括如下步骤：提供第一圆片，在第一圆片的第一表面依次形成N buffer区域和高掺杂的N+区域；提供第二圆片，并将第一圆片和第二圆片键合，其中，第一圆片的第一表面与第二圆片直接接触；对第一圆片的第二表面进行减薄抛光至所需厚度；在第一圆片的第二表面完成Trench IGBT正面结构；将键合在一起的第一圆片和第二圆片分开，在第一圆片的第一表面依次形成P+层和背面金属层。这种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，通过第一圆片和第二圆片的键合，先进行减薄，接着完成Trench IGBT正面结构，从而不需要超薄片的光刻，显影等光刻设备，工艺简单。

主权项

一种具有反向导通结构的Trench IGBT的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一圆片，并在所述第一圆片的第一表面注入N型杂质，高温推阱后得到覆盖在所述第一圆片的第一表面的N buffer区域；对所述第一圆片的第一表面进行光刻、显影和N型杂质注入，得到嵌设在所述N buffer区域内的高掺杂的N+区域；提供第二圆片，并将所述第一圆片和所述第二圆片键合，其中，所述第一圆片的第一表面与所述第二圆片直接接触；对所述第一圆片的第二表面进行减薄抛光至所需厚度；在所述第一圆片的第二表面完成Trench IGBT正面结构；将键合在一起的所述第一圆片和所述第二圆片分开，并对所述第一圆片的第一表面进行P型杂质注入，退火后形成P+层；对所述第一圆片的第一表面的进行金属化，形成层叠在所述P+层上的背面金属层。