| 发明名称 | 等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供能够在保护基底层的同时去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物的等离子体处理方法。提供一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。 | ||
| 申请公布号 | CN104576355A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410543621.4 | 申请日期 | 2014.10.15 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 味上俊一 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种等离子体处理方法，其为使用形成有蚀刻图案的蚀刻掩模对形成于基板上的含硅膜进行处理的等离子体处理方法，其包括：去除工序：通过由含有卤素、氢气和碳的第一气体生成的等离子体去除对所述含硅膜进行蚀刻时产生的反应产物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||