发明名称 双重图形化方法、形成互连结构的方法
摘要 一种双重图形化的方法、形成互连结构的方法,所述双重图形化方法,包括:提供基底;在基底上形成抗反射层;在抗反射层上形成第一可图形化介质层;图形化第一可图形化介质层,形成第一结构;形成第二可图形化介质层,覆盖第一结构和抗反射层,且第二可图形化介质层的厚度大于所述第一结构的高度;去除部分第二可图形化介质层,使第二可图形化介质层的厚度与第一结构的高度相近,两者之差范围小于200埃;图形化去除了部分的第二可图形化介质层,形成第二结构;刻蚀所述抗反射层,露出所述基底,将所述第一结构和第二结构形成的图形转移到所述抗反射层。本发明的第一结构和第二结构的高度相同,在后续的平坦化工艺中,平坦化工艺易于控制。
申请公布号 CN102479700B 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201010560208.0 申请日期 2010.11.25
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 发明人 洪中山
分类号 H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/31(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种双重图形化方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底上形成抗反射层;在所述抗反射层上形成第一可图形化介质层,所述第一可图形化介质层具有光刻胶的性质、在进行相应的处理后可以转换为低k介质层;图形化所述第一可图形化介质层,形成第一结构;图形化所述第一可图形化介质层的方法为:直接对所述第一可图形化介质层进行曝光、显影形成第一结构;形成第二可图形化介质层,覆盖所述第一结构和抗反射层,且所述第二可图形化介质层的厚度大于所述第一结构的高度;所述第二可图形化介质层具有光刻胶的性质、在进行相应的处理后可以转换为低k介质层;利用溶剂处理或者干法刻蚀去除部分所述第二可图形化介质层,使所述第二可图形化介质层的厚度与所述第一结构的高度之差小于200埃;这样第一结构和第二结构的高度相近,在平坦化工艺中,平坦化工艺易于控制;图形化所述去除了部分的第二可图形化介质层,形成第二结构;刻蚀所述抗反射层,露出所述基底,将所述第一结构和第二结构形成的图形转移到所述抗反射层。
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