发明名称 |
一种存储单元、存储器及存储单元控制方法 |
摘要 |
本发明实施例提供一种存储单元、存储器及存储单元控制方法,用于提高存储密度和降低功耗。其中,一种存储单元包括:U型磁性轨道,第一驱动电路,第二驱动电路,第一驱动端口和第二驱动端口;U型磁性轨道包括第一端口,第二端口,第一存储区域和第二存储区域;第一驱动电路用于驱动第一存储区域,第二驱动电路用于驱动第二存储区域;通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第一驱动电路的驱动,第一存储区域内产生电流脉冲,并驱动第一存储区域内的磁畴移动;通过对第一端口、第二端口、第一驱动端口和第二驱动端口的输入电压的控制以及第二驱动电路的驱动,第二存储区域内产生电流脉冲,并驱动第二存储区域内的磁畴移动。 |
申请公布号 |
CN104575581A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201310496697.1 |
申请日期 |
2013.10.21 |
申请人 |
华为技术有限公司;复旦大学 |
发明人 |
林殷茵;韦竹林;赵俊峰;杨伟;傅雅蓉;杨凯 |
分类号 |
G11C11/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/02(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 |
代理人 |
王仲凯 |
主权项 |
一种存储单元,其特征在于,包括:U型磁性轨道,第一驱动电路,第二驱动电路,与所述第一驱动电路连接的第一驱动端口,以及与所述第二驱动电路连接的第二驱动端口;所述U型磁性轨道包括设置于所述U型磁性轨道顶部的一端且与阴极线相连的第一端口,设置于所述U型磁性轨道顶部的另一端且与阳极线相连的第二端口,第一存储区域和第二存储区域;其中,所述第一驱动电路用于驱动所述第一存储区域,所述第二驱动电路用于驱动所述第二存储区域;通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口的输入电压的控制以及所述第一驱动电路的驱动,所述第一存储区域内产生电流脉冲,并驱动所述第一存储区域内的磁畴移动;通过对所述第一端口、所述第二端口以及所述第一驱动端口和所述第二驱动端口的输入电压的控制以及所述第二驱动电路的驱动,所述第二存储区域内产生电流脉冲,并驱动所述第二存储区域内的磁畴移动。 |
地址 |
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 |