一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法

摘要

本发明公开了一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，栅氧化层形成之后在其上蒸发铝，然后高温扩铝，形成Si-O-Al结构的栅介质。本发明可以减少VDMOS器件在受到辐照时，栅介质中积累的正电荷，提高器件的抗总剂量辐照能力；同时Si-O-Al结构的栅介质具有比常规二氧化硅栅介质更高的介电常数，可以提高器件的抗单粒子栅穿能力。本发明的制造方法有效的克服了抗总剂量辐照和单粒子栅穿对于栅介质厚度需求的矛盾，能够同时实现两者的优化，工艺简单，有利于提高VDMOS器件的抗辐照性能。

主权项

一种具有抗辐照性能的VDMOS器件制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选取硅外延片，通过光刻刻蚀技术在硅外延片的正面形成有源区及终端环；(2)在步骤(1)的有源区通过热氧化形成一层二氧化硅栅氧化层；(3)在步骤(2)的栅氧化层上蒸发一层金属铝；(4)把经过步骤(3)处理后的硅片放置在高温扩散炉中，使金属铝扩散到二氧化硅栅氧化层中；(5)在掺杂铝的二氧化硅栅氧化层上淀积一层多晶硅，通过光刻刻蚀形成多晶硅栅；(6)通过硼注入及扩散工艺形成p‑body区及P+区，通过磷注入及扩散工艺形成源区；(7)在经过步骤(6)处理后的硅片上淀积二氧化硅介质层，刻蚀二氧化硅形成接触孔，然后进行正面金属化、钝化、刻蚀PAD区、减薄，最后进行背面金属化工艺，完成VDMOS器件制造。