发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供能对电源反接时流过控制芯片的电流进行抑制而不对正常动作产生影响、并能在电源反接时向功率芯片提供足够的控制电压的半导体装置。包括:包括将从电源至负载的供电在导通状态与断开状态之间进行切换的开关元件的功率芯片(10);内置有对该功率芯片的开关元件进行控制的控制电路的控制芯片(20);以及在设置于所述控制芯片的所述电源反接时将所述功率芯片的开关元件控制成导通状态的反接保护电路(22),所述反接保护电路具有:插入于所述控制电路及所述电源的正极侧之间的保护用电阻(R1、R2);以及在所述电源反接时被输入所述保护用电阻的中点电压、以形成将所述功率芯片的开关元件控制成导通状态的控制电压的控制电压形成电路(25)。
申请公布号 CN104578026A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201410445284.5 申请日期 2014.09.03
申请人 富士电机株式会社 发明人 岩水守生
分类号 H02H9/04(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H02H9/04(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 宋俊寅
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:功率芯片,该功率芯片包括将从电源至负载的供电在导通状态与断开状态之间进行切换的开关元件;控制芯片,该控制芯片内置有对该功率芯片的开关元件进行控制的控制电路;以及反接保护电路,该反接保护电路在设置于所述控制芯片的所述电源反接时,将所述功率芯片的开关元件控制成导通状态,所述反接保护电路具有:保护用电阻,该保护用电阻插入于所述控制电路及所述电源的正极侧之间;以及控制电压形成电路,在所述电源反接时所述保护用电阻的中点电压输入至所述控制电压形成电路,以形成将所述功率芯片的开关元件控制成导通状态的控制电压。
地址 日本神奈川县