一种具有高导电性的减反射膜及其制备方法

摘要

本发明提供一种可用于太阳电池的高导电性减反射膜及其制备方法，其中，高导电性的减反射膜为双层膜，底层为腐蚀并经过氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜，顶层为SiO₂薄膜。本发明还提供该减反射膜的制备方法，包括如下步骤：1)使用射频磁控溅射技术在衬底上制备n型导电ZnO薄膜，2)将ZnO薄膜在一定浓度的稀盐酸下进行腐蚀，3)将腐蚀过的ZnO薄膜进行氢等离子处理，4)在ZnO基薄膜的表层溅射SiO₂薄膜。本发明的减反射膜采用射频磁控溅射法制备，具有生长速度快、膜厚均匀性好、导电性能好的优点，可以降低太阳电池对太阳光的反射率，从而提高太阳电池的转换效率。

主权项

一种透明导电减反射膜，其特征在于，所述的透明导电减反射膜为具有绒面陷光结构的双层薄膜，其中：底层为腐蚀并经氢等离子处理过的n型导电ZnO薄膜(31)；顶层为SiO₂薄膜(32)；所述的透明导电减反射膜在一台磁控溅射设备中进行，其制备方法如下：1)在清洁的衬底上采用射频磁控溅射法制备n型导电ZnO薄膜(31)，所述的衬底为石英衬底、硅衬底或玻璃衬底；2)将步骤1)制得的n型导电ZnO薄膜(31)在浓度为0.1～1.0wt％的稀盐酸中进行腐蚀；3)将步骤2)腐蚀后的n型导电ZnO薄膜(31)进行氢等离子处理；4)将步骤3)氢等离子处理后的n型导电ZnO薄膜(31)上采用射频磁控溅射法生长一层SiO₂薄膜(32)，即制得透明导电减反射膜。