薄膜晶体管及其制造方法

摘要

薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于包括：硅基板，在一主面上呈条纹状或网格状地形成有凹凸形状；沟道层，包含多个碳纳米墙薄膜，所述多个碳纳米墙薄膜沿着所述凹凸形状的凸部的长度方向而配置在多个凸部上，且各自沿所述硅基板的法线方向成长；源极电极，在所述多个碳纳米墙薄膜的各自中，至少接触所述碳纳米墙薄膜的与厚度方向平行的第1侧面；漏极电极，在所述碳纳米墙薄膜的面内方向上以与所述源极电极相向的方式而配置，且在所述多个碳纳米墙薄膜的各自中，至少接触与所述第1侧面相向的第2侧面；栅极电极；以及绝缘膜，配置在所述多个碳纳米墙薄膜与所述栅极电极之间。