发明名称 |
等离子体蚀刻处理工具和蚀刻处理方法 |
摘要 |
本发明涉及一种等离子体蚀刻处理工具。所述的等离子体蚀刻处理工具包括:衬底支撑件,用于支撑具有衬底表面面积的衬底;处理头,包括具有朝向所述衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室,等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积;密封结构,被限定于所述衬底支撑件和所述处理头之间;以及电源,被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件。本发明还涉及一种等离子体蚀刻处理方法。 |
申请公布号 |
CN102753723B |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201080054616.7 |
申请日期 |
2010.12.02 |
申请人 |
朗姆研究公司 |
发明人 |
理查德·戈特朔;拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯里尼瓦桑 |
分类号 |
C23C16/00(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
等离子体蚀刻处理工具,包括:衬底支撑件,其用于支撑具有衬底表面面积的衬底;处理头,其包括具有朝向所述衬底支撑件上方的开口侧的等离子体微型腔室,所述等离子体微型腔室的所述开口侧具有小于所述衬底表面面积的处理面积;密封结构,其被限定于所述衬底支撑件和所述处理头之间;以及电源,其被连接到所述等离子体微型腔室和所述衬底支撑件,其中,所述衬底支撑件只有一部分被偏置。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |