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상변화 랜덤 액세스 메모리(PRAM) 셀을 형성하는 방법, 및 상변화 랜덤 액세스 메모리(PRAM) 셀의 구조가 개시된다. PRAM 셀은 하부 전극, 하부 전극에 커플링되는 히터 저항기, 히터 저항기 위에 형성되고 히터 저항기에 커플링되는 상변화 물질(PCM), 및 상변화 물질에 커플링되는 상부 전극을 포함한다. 상변화 물질은 히터 저항기 및 상변화 물질 사이에 활성 영역을 형성하기 위하여 히터 저항기의 수직 표면의 일부분 및 히터 저항기의 수평 표면의 일부분에 접촉한다. |
