結晶性薄膜の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法

摘要

本発明に係る結晶性薄膜の形成方法は、基板（１１）を準備する第１工程と、基板（１１）上に非結晶のシリコン薄膜（１５）を形成する第２工程と、非結晶のシリコン薄膜（１５）に対して、レーザー光（３０）を基板（１１）に対して相対走査させつつ照射し、非結晶のシリコン薄膜（１５）の少なくとも所定領域を結晶化する第３工程と、を含み、第１工程では、基板（１１）の最大残留応力の発生方向を特定し、第３工程では、特定した最大残留応力の発生方向にレーザー光（３０）を走査する。