| 发明名称 |
タングステンによるフィーチャ充填 |
| 摘要 |
タングステンによりフィーチャを充填する方法、ならびに関連するシステムおよび装置について、本明細書で記載する。本方法は、フィーチャ内へのインサイドアウト充填法ならびにコンフォーマル堆積を含む。インサイドアウト充填法は、フィーチャ内のエッチングされたタングステン層への選択的堆積を含み得る。様々な実現形態により、コンフォーマルおよび非コンフォーマルなエッチング法を用いることができる。本明細書に記載の方法は、タングステンビアにおけるような垂直フィーチャ、および垂直ＮＡＮＤ（ＶＮＡＮＤ）ワードラインのような水平フィーチャ、を充填するために用いることができる。適用例として、ロジックおよびメモリのコンタクト充填、ＤＲＡＭ埋め込みワードライン充填、垂直集積メモリゲート／ワードライン充填、シリコン貫通ビア（ＴＳＶ）による３Ｄ集積、が含まれる。【選択図】図１６ |
| 申请公布号 |
JP2015512568(A) |
申请公布日期 |
2015.04.27 |
| 申请号 |
JP20150503547 |
申请日期 |
2013.03.27 |
| 申请人 |
ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮＯＶＥＬＬＵＳ ＳＹＳＴＥＭＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ |
发明人 |
チャンドラシェカー・アナンド;ジェン・エスター;フマユン・ラシーナ;ダネク・ミハル;ガオ・ジュウェン;ワン・ドーチィ |
| 分类号 |
H01L21/768;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/336;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L23/532;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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