| 摘要 |
<p>ＭＯＳＦＥＴ（１）の製造方法は、炭化珪素からなる基板（１０）を準備する工程と、基板（１０）とオーミック接触するドレイン電極（５１）を形成する工程と、ドレイン電極（５１）上に接触する裏面パッド電極（８０）を形成する工程とを備えている。また、ドレイン電極（５１）を形成する工程では、ＴｉおよびＳｉを含む合金からなるドレイン電極（５１）が形成される。また、形成された裏面パッド電極（８０）は、ＭＯＳＦＥＴ（１）の完成まで３００℃以下の温度に維持される。これにより、電極間の良好な密着性を達成しつつ、製造工程を効率化することが可能となる。</p> |
