エピタキシャルリフトオフ後のウエハーの再利用のための熱表面処理

摘要

成長基板、１以上の保護層、犠牲層、および少なくとも１つのエピ層を有する構造を準備すること、この際、前記犠牲層および前記１以上の保護層は、前記成長基板と前記少なくとも１つのエピ層との間に配置される；エッチング液を用いて前記犠牲層をエッチングすることにより前記少なくとも１つのエピ層を除去すること；および前記成長基板および／または前記保護層の少なくとも１つを熱処理すること；を含む、成長基板の完全性の保存方法が開示される。【選択図】なし