| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体发光元件包含以2×10<sup>19</sup>个/cm<sup>3</sup>以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层。 | ||
| 申请公布号 | CN104541381A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201380040831.5 | 申请日期 | 2013.09.05 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 驹田聪 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 宋俊寅 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，包括：基板；设置于所述基板上的第1氮化物半导体层；设置于所述第1氮化物半导体层上的发光层；以及设置于所述发光层上的第2氮化物半导体层，所述第1氮化物半导体层包含以2×10<sup>19</sup>个/cm<sup>3</sup>以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||