平面式半导体元件及其制作方法

摘要

一种平面式半导体元件及其制作方法，该平面式半导体元件包括：一由一晶圆所切割的半导体元件，其具有上表面、下表面及多个设于该上、下表面之间的侧面，上表面上具有多个引线区域；一覆盖于该半导体元件的绝缘结构，绝缘结构包括一成型于该上表面上的第一绝缘层、一成型于该下表面上的第二绝缘层及一成型于这些侧面上的第三绝缘层，引线区域裸露于该第一绝缘层；一对应地设于每一该引线区域上的导电焊垫；以及一分别设于半导体元件的两端的端电极，端电极导接于该导电焊垫。本发明的平面式半导体元件可被绝缘结构所完整包覆，故可有效提高元件的可靠度。此外，该平面式半导体元件可提供多个方向的焊接位置，故可提高焊接作业的效率。

主权项

一种平面式半导体元件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包含以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆上具有多个半导体元件，且所述晶圆的上表面上具有多个对应所述半导体元件的引线区域；进行一第一绝缘覆盖步骤，以于所述晶圆的上表面、下表面分别成型一第一绝缘层及一第二绝缘层，其中所述引线区域裸露于所述第一绝缘层；在每一所述引线区域上成型一导电焊垫；进行一切割步骤，以切割出单一的半导体元件；进行一第二绝缘覆盖步骤，以在每一个切割后的半导体元件的侧面成型一第三绝缘层；以及在每一个切割后的半导体元件的两端分别成型一端电极，所述端电极导接于所述导电焊垫；所述端电极包括一导接于所述导电焊垫的电极层及一覆盖于所述电极层的连接层；所述电极层及所述连接层从所述半导体元件的所述上表面经由所述侧面而延伸至所述下表面，且包覆于所述上表面上的所述第一绝缘层、所述下表面上的所述第二绝缘层及所述侧面上的所述第三绝缘层的外侧。