发明名称 高山卵叶韭快速繁殖方法
摘要 本发明公开了高山卵叶韭快速繁殖方法,步骤:A、选取高山卵叶韭鳞茎盘为外植体;B、用灭菌的手术刀将鳞茎盘剥离至直径0.3~0.5cm按极性方向竖插于诱导培养基中;C、光照恒温培养,长出丛芽;D、将丛芽切割成数个小丛芽,转入增殖培养基中进行继代增殖培养;E、继代培养过程中的健壮小苗转生根培养基中,待长出根时开瓶炼苗,清洗后移栽到基质中,保温保湿,组培苗成活后移栽。获得的卵叶韭遗传稳定性好,繁殖占用空间小,繁殖速度快,一年一个鳞茎盘可繁殖上百万棵卵叶韭苗。有效解决卵叶韭种植中优质卵叶韭种苗的供应问题。所建立的生产体系稳定、周期较短,能满足规模化种植种苗需求。
申请公布号 CN104521754A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410755932.7 申请日期 2014.12.10
申请人 湖北省农业科学院经济作物研究所;神农架百草園生态科技有限公司;恩施市巨鑫现代农业开发有限公司 发明人 郭凤领;吴金平;邓晓辉;郭世喜;陈磊夫;黄毅华;邱正明
分类号 A01H4/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人 王敏锋
主权项 高山卵叶韭快速繁殖方法,包括以下步骤:1)取卵叶韭鳞茎盘清洗后,剥除最外一层鳞茎,消毒;2)剥除卵叶韭鳞茎盘至直径为0.3~0.5 cm,以此鳞茎盘直接按极性方向竖插于配制好的诱导培养基中,诱导培养基的配方为:MS+6‑BA 1.5~2.5 mg/L+NAA 0.15~0.25mg/L+琼脂4000~6000 mg/L+白糖 25000~35000 mg/L; 3)光照培养,温度为18~22 ℃,光强1500~2000 Lx,每天光照10~12 h,培养30~60 d,长出丛芽;4)将丛芽切割成数个0.4cm~0.6cm小丛芽转入继代增殖培养基中,增殖培养基的配方为:MS+6‑BA0.5~1.5 mg/L+NAA 0.15~0.25mg/L+琼脂4000~ 6000 mg/L+白糖 25000~35000 mg/L;以后每隔25~35 d 继代1 次,继代培养过程中将苗高3~5 cm的小苗转生根培养基中,生根培养基的配方为:MS+NAA 0.05~0.15 mg/L +琼脂4000~6000 mg/L+白糖 30000~60000 mg/L;5)卵叶韭试管苗接种于生根培养基中30~40 d,待长3~5条根时开瓶炼苗5~7 d,将瓶内苗取出,将组培苗移栽到基质进行常规培养。
地址 430064 湖北省武汉市洪山区南湖大道43#