| 发明名称 | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种有机发光二极管阵列基板及其制造方法、显示装置。所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN104538351A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410851459.2 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 辛龙宝;廖金龙;王美丽 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张启程 |
| 主权项 | 一种有机发光二极管阵列基板的制造方法，所述有机发光二极管阵列基板包括薄膜晶体管和有机发光二极管，所述方法包括：通过成膜工艺形成氧化物半导体层，对所述氧化物半导体层进行一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层与所述有机发光二极管的第一电极；在所述有源层和所述有机发光二极管的第一电极上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层为亲液层，所述第二绝缘层为疏液层；对所述第一绝缘层、第二绝缘层进行构图工艺形成暴露出第一电极的容纳腔；以及将含有有机发光材料的溶液注入容纳腔中后进行干燥处理以形成有机发光材料层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||