发明名称 用于修复磁存储器中的复位错误的方法
摘要 提供了一种用于对使用破坏性读取,包括例如MRAM中的自旋扭矩比特的自参照读取,和选择性写回的磁存储器修复复位错误的方法。通过以下之一来使存储器单元为写回作准备:利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并且对于被确定为发生错误的那些存储器单元将反转比特反转;利用纠错码识别被确定为发生错误的存储器单元并将存储器单元的一部分复位到第一状态;以及将一个或多个存储器单元复位到第一状态。
申请公布号 CN104538061A 申请公布日期 2015.04.22
申请号 CN201410262401.4 申请日期 2014.06.12
申请人 艾沃思宾技术公司 发明人 J·斯劳特;D·豪撒梅迪恩;T·安德烈;S·M·阿拉姆
分类号 G11C29/44(2006.01)I 主分类号 G11C29/44(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 冯玉清
主权项 一种修复存储器阵列中的多个存储器单元中的复位错误的方法,该方法包括:执行自参照读取以识别与每个存储器单元相关联的第一状态或第二状态之一,包括将每个存储器单元复位到第一状态;通过纠错码识别至少一个存储器单元中的错误;对一个或多个存储器单元执行操作,所述操作包括从以下各项选择的群组之一:至少部分地根据纠错操作的结果,选择性地将反转存储器单元设置到第二状态;和将至少一部分存储器单元复位到第一状态;以及选择性地将被确定为与第二状态相关联的每个相应的存储器单元设置到第二状态。
地址 美国亚利桑那