发明名称 |
过孔和显示基板的制作方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件制造技术领域,公开了一种过孔和显示基板的制作方法。薄膜的过孔制作方法中,分两次形成光刻胶。在先形成的第一光刻胶层中形成位于过孔制作区上的开口。在第一光刻胶层中形成开口后,形成第二光刻胶层,至少去除第二光刻胶层的位于所述开口所在区域的部分,暴露过孔制作区,通过所述开口刻蚀所述薄膜,形成过孔。由于第一光刻胶层厚度较薄,界定的过孔孔径较小。通过设置第二光刻胶层的感光度大于第一光刻胶层的感光度,可以保证在薄膜中形成过孔的孔径尺寸精度,提高了过孔质量。同时,光刻胶可以保护非过孔制作区的薄膜不被刻蚀,保证了产品的良率和性能。 |
申请公布号 |
CN104538348A |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201510025463.8 |
申请日期 |
2015.01.19 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
陈善韬 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种薄膜中的过孔制作方法,所述薄膜设置在一基板上,其特征在于,所述制作方法包括:在所述薄膜上形成第一光刻胶层,所述薄膜包括过孔制作区;对所述第一光刻胶层进行曝光和显影处理,形成位于过孔制作区上的第一开口;形成覆盖所述第一光刻胶层的第二光刻胶层,所述第二光刻胶层的感光度大于所述第一光刻胶层的感光度;对所述第二光刻胶层进行曝光和显影处理,至少去除所述第二光刻胶层的位于第一开口所在区域的部分,暴露所述过孔制作区,由保留的第一光刻胶层和保留的第二光刻胶层形成所述薄膜的刻蚀保护层;以保留的第一光刻胶层为阻挡,刻蚀所述过孔制作区的薄膜,形成过孔;剥离剩余的第一光刻胶层和第二光刻胶层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |