绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，其包括第一补偿区和第二补偿区，所述第一补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区与栅极区之间，所述第二补偿区设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区与栅极区之间，第一补偿区和第二补偿区与栅极区的导电类型相同，并且，所述第一补偿区和第二补偿区的掺杂浓度大于栅极区的掺杂浓度。本发明可降低旁路电流，提高器件的性能。

主权项

一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管，以及第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区(10)，并且围绕栅极区(10)依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(20)、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(40)、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)，其特征在于，还包括第一补偿区(60)和第二补偿区(70)，所述第一补偿区(60)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区(30)与栅极区(10)之间，所述第二补偿区(70)设置于第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区(50)与栅极区(10)之间，第一补偿区(60)和第二补偿区(70)与栅极区(10)的导电类型相同，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)为p型掺杂，并且，所述第一补偿区(60)和第二补偿区(70)的掺杂浓度大于栅极区(10)的掺杂浓度。