Bragg反射镜耦合表面等离子体激光光源

摘要

Bragg反射镜耦合表面等离子体激光光源属于激光器领域，该光源可以有效解决现有光致激发困难、制作工艺难度大、成本高、集成困难等问题。该光源包括：n面电极、衬底、Bragg反射镜、波导层、量子阱、全反射层、p面电极、低折射率介质和金属层；衬底上面依次生长Bragg反射镜、波导层、量子阱、全反射层、盖层、p面电极，衬底下面生长n面电极，衬底侧面依次生长低折射率介质和金属层，低折射率介质依次与n面电极、衬底、Bragg反射镜、波导层、量子阱、全反射层和p面电极连接。本发明制作工艺相对简单、性能稳定、成本低、容易集成和推广。

主权项

Bragg反射镜耦合表面等离子体激光光源，其特征在于，该光源包括：n面电极(1)、衬底(2)、Bragg反射镜(3)、波导层(4)、量子阱(5)、全反射层(6)、p面电极(8)、低折射率介质(9)和金属层(10)；所述衬底(2)上面依次生长Bragg反射镜(3)、波导层(4)、量子阱(5)、全反射层(6)和p面电极(8)，所述衬底(2)下面生长n面电极(1)，所述衬底(2)侧面依次生长低折射率介质(9)和金属层(10)，所述低折射率介质(9)依次与n面电极(1)、衬底(2)、Bragg反射镜(3)、波导层(4)、量子阱(5)、全反射层(6)和p面电极(8)连接；所述的衬底(2)是GaAs材料，Bragg反射镜(3)由9对138nm的n‑Al_0.3Ga_0.7As/173nm的n‑Al_0.5Ga_0.5As构成，波导层(4)是294nm的n‑Al_0.3Ga_0.7As，量子阱(5)是10nm Al_0.25Ga_0.75As/4nm GaAs/10nm Al_0.25Ga_0.75As组成，全反射层(6)是2μm的p‑Al_0.9Ga_0.1As，低折射率介质(9)是1.5μm的SiO₂；金属层(10)是100nm的Au。