发明名称 |
一种芯片测试装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种芯片测试装置,它属于电性能的测试装置领域,具体包括第一探针引脚、第二探针引脚、列寻址模块、行寻址模块、开关模块和测试模块,第一探针引脚、列寻址模块和开关模块依次连接,第二探针引脚、行寻址模块和开关模块依次连接,开关模块与测试模块连接,所述的开关电路由单一的场效应管组成。本实用新型解决了目前的测试芯片的开关电路过于复杂增加了电路本省发生缺陷的危险的缺陷,提供一种芯片测试装置。 |
申请公布号 |
CN204287409U |
申请公布日期 |
2015.04.22 |
申请号 |
CN201420805600.0 |
申请日期 |
2014.12.18 |
申请人 |
重庆智锐德科技有限公司 |
发明人 |
陈佳英 |
分类号 |
G01R31/28(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/28(2006.01)I |
代理机构 |
重庆强大凯创专利代理事务所(普通合伙) 50217 |
代理人 |
王明书 |
主权项 |
一种芯片测试装置,其特征在于:包括第一探针引脚、第二探针引脚、列寻址模块、行寻址模块、开关模块和测试模块,第一探针引脚、列寻址模块和开关模块依次连接,第二探针引脚、行寻址模块和开关模块依次连接,开关模块与测试模块连接,所述的开关电路由单一的场效应管组成;所述的测试模块包括电阻测量模块和漏电测量模块,所述漏电测量模块包括第一比较器、第二比较器、第三比较器、光电耦合器和场效应管,第一比较器的负相输入端与测量负载连接,第一比较器的输出端与第二比较器的正相输入端连接,第二比较器的输出端与第三比较器的正相输入端连接,光电耦合器的正极端与示波器的输出端连接,光电耦合器的发射极端与场效应管的栅极连接,场效应管的漏极与第三比较器的正极端连接,第三比较器的输出端与示波器连接。 |
地址 |
401220 重庆市长寿区凤城向阳路16号13-3 |