| 发明名称 | 具有薄氮化硅层的金刚石SOI | ||
| 摘要 | 一种用于半导体器件的方法和结构，所述半导体器件包括形成在金刚石SOI层和器件硅层之间的薄氮化物层，以阻挡离子的扩散和提高器件硅的寿命。 | ||
| 申请公布号 | CN102142363B | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201010222737.X | 申请日期 | 2010.06.28 |
| 申请人 | 英特赛尔美国有限公司 | 发明人 | R·C·杰罗姆;F·希伯特;C·麦克拉克伦;K·胡平格纳 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 侯颖媖 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括：在金刚石绝缘体‑上‑硅(SOI)层和器件层之间沉积薄氮化物层以形成器件晶片；在器件晶片上沉积多晶硅层；使器件晶片的有效一侧上的多晶硅层平整化；以及把器件晶片的经平整化的一侧附加到手柄晶片以形成器件结构；在所述器件结构的手柄晶片一侧上沉积多晶硅；以及对所述器件结构的器件一侧进行抛光。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||