| 发明名称 | 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：源区，开设有凹槽；沟道区，设置于所述凹槽内，并连接于所述凹槽底部；漏区，设置于所述沟道区上远离所述凹槽底部的一端；外延层，形成于所述凹槽的内表面上；栅区，位于所述外延层和所述沟道区之间；栅氧层，设置于所述栅区和所述沟道区之间以及所述栅区和所述外延层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN104538442A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201410431504.9 | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 华为技术有限公司 | 发明人 | 杨喜超;赵静;张臣雄 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 冯艳莲 |
| 主权项 | 一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：源区，开设有凹槽；沟道区，设置于所述凹槽内，并连接于所述凹槽底部；漏区，设置于所述沟道区上远离所述凹槽底部的一端；外延层，形成于所述凹槽的内表面上；栅区，位于所述外延层和所述沟道区之间；栅氧层，设置于所述栅区和所述沟道区之间以及所述栅区和所述外延层之间。 | ||
| 地址 | 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼 | ||