光半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供使用焊锡膏在封装基板上装配光半导体元件而构成的光半导体装置。光半导体装置包含：在主面上具有下垫板的封装基板、以及与下垫板焊锡接合的光半导体元件。封装基板的基体材料使用陶瓷。基板设有贯通其基体材料和下垫板的多个贯通孔。各个贯通孔具有露出基体材料的陶瓷的侧壁。各个贯通孔的开口直径为40μm以上100μm以下，并且，多个贯通孔的开口面积的合计为包含被焊锡材料堵住的贯通孔在内的光半导体元件和下垫板的接合区域的面积的50％以下。各个贯通孔的形成有光半导体元件和下垫板的接合部的一侧的上端部被焊锡材料堵住。在回流焊处理中，焊锡膏中包含的溶剂漰沸而使光半导体元件飞溅。上述光半导体装置能够防止这种情况。

主权项

一种光半导体装置，其特征在于，该光半导体装置包含：由陶瓷构成的封装基板，其在主面上具有由金属构成的下垫板，并具有贯通下垫板和基体材料的多个贯通孔，各个所述贯通孔具有露出所述基体材料的陶瓷的侧壁和露出所述下垫板的金属的侧壁；以及光半导体元件，其隔着焊锡材料接合在所述下垫板上，所述焊锡材料附着于露出所述下垫板的金属的侧壁，而不附着于露出所述基体材料的陶瓷的侧壁，所述焊锡材料位于所述下垫板表面与所述光半导体元件之间以及所述贯通孔的上端部与所述光半导体元件之间，各个所述贯通孔的开口直径为40μm以上100μm以下，并且，所述多个贯通孔的开口面积的合计为包含被焊锡材料堵住的贯通孔在内的所述光半导体元件和所述下垫板的隔着焊锡材料的接合区域的面积的50％以下。