一种制备高比表面积SiC 纳米微球的方法

摘要

一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，将碳微球与二氧化硅微球混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，与二氧化硅微球的粒径为100～200nm；将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，得到产物；将产物在400-600℃下煅烧，得到高比表面积SiC纳米微球。本发明操作简单，成本低廉，可重复性好，有利于工业化生产。本发明所制得的SiC纳米微球的粒度均匀，纯度高，直径在200～500nm范围内可控，比表面积可以达到25～60m²/g。

主权项

一种制备高比表面积SiC纳米微球的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将碳微球与二氧化硅微球按质量比(1:1)～(2:1)混合均匀，得到混合粉末；其中碳微球粒径为200～400nm，二氧化硅微球的粒径为100～200nm；2)将混合粉末放入真空烧结炉中，将真空烧结炉抽真空后通入氩气，并在氩气保护下自室温升温至1200℃时将真空烧结炉抽真空，然后继续升温至1300℃～1500℃，在1300℃～1500℃下烧结，然后自然降温至室温，得到产物；3)将产物在400‑600℃下煅烧，自然冷却至室温，得到高比表面积SiC纳米微球；SiC纳米微球直径为200～500nm，比表面积为25～60m²/g。