用于在较低温度下使用远程等离子体源进行选择性氧化的设备和方法

摘要

本文描述用于选择性地氧化硅的装置和方法。用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备包括：热处理腔室，所述热处理腔室具有多个壁、第一入口连接件和第二入口连接件，其中壁界定处理腔室内的处理区域；处理腔室内的基板支撑件；与第一入口连接件连接的氢源；与氢源连接的热源；和与第二入口连接件和氧源连接的远程等离子体源。一种用于对非金属表面进行选择性氧化的方法，所述方法可包括：在小于800℃的温度下的处理腔室中定位基板；使氢流入处理腔室中；产生含氧远程等离子体；在处理腔室中将远程等离子体与氢气混合以产生活性处理气体；和使基板暴露于活性气体。

主权项

一种用于对暴露的硅表面进行选择性氧化的设备，所述设备包括：具有多个壁的热处理腔室，所述热处理腔室具有第一入口连接件和第二入口连接件，其中所述多个壁界定所述处理腔室内的处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件位于所述处理腔室内；氢源，所述氢源与所述处理腔室的所述第一入口连接件流体连接；热源，所述热源与所述氢源连接；远程等离子体源，所述远程等离子体源与所述处理腔室的所述第二入口连接件流体连接；和氧源，所述氧源与所述远程等离子体源流体连接。