| 摘要 |
신뢰성이 높고, 안정된 전기 특성을 나타내는 반도체 장치를 제공한다. 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제조한다. 제1 산화물 반도체층, 제2 산화물 반도체층 및 제3 산화물 반도체층이 적층된 산화물 반도체 적층과, 산화물 반도체 적층과 접하는 소스 및 드레인 전극층과, 게이트 절연층을 사이에 개재하여 산화물 반도체층과 중첩하는 게이트 전극층과, 산화물 반도체 적층이 개재되어 있는 제1 및 제2 산화물 절연층이 포함된다. 제1 내지 제3 산화물 반도체층은 각각 인듐, 갈륨 및 아연을 포함한다. 제2 산화물 반도체층에서 인듐의 비율은 제1 및 제3 산화물 반도체층 각각에서 보다도 높다. 제1 산화물 반도체층은 비정질이다. 제2 및 제3 산화물 반도체층은 각각 결정 구조를 갖는다. |
