| 主权项 |
一种半导体薄膜之沉积装置，包括基本上对中心(11)旋转对称的反应室(1)，此反应室具有：设在水平面上的载板(2)所构成的底板，在载板(2)垂直上方之反应室盖板(3)，位在中心(11)处载板(2)与反应室盖板(3)之间而具有垂直上下相叠的进气室(8,9,10)的进气机构(4)，及在载板(2)垂直下方加热载板(2)的加热装置(27)；其中，载板(2)上设有复数个与进气机构(4)有一段距离的基板座(5)，以容置欲涂布的基板(6)；最上方之进气室(8)直接邻接反应室盖板(3)，并连接将氢化物与载气输入反应室(1)的管路(14)；最下方之进气室(10)直接邻接载板(2)，并连接将氢化物与载气输入反应室的管路(16)；以及至少一个位在最下方进气室(10)与最上方进气室(8)之间的中间进气室(9)，系与将金属有机化合物输入反应室(1)的管路(15)连接；其特征为：进气室(8,9,10)朝向反应室(1)的一侧被环形壁(22,23,24)包围；以及环形壁(22,23,24)具有复数个紧邻的气体流出孔(25)，并具有一致的外径，且具有无凸起而朝向反应室(1)的外壁。
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