以高密度低能量电浆进行半导体表面的介面处理;INTERFACE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SURFACES WITH HIGH DENSITY LOW ENERGY PLASMA,申请号TW103131025-传众专利搜索

发明名称	以高密度低能量电浆进行半导体表面的介面处理;INTERFACE TREATMENT OF SEMICONDUCTOR SURFACES WITH HIGH DENSITY LOW ENERGY PLASMA
摘要	在半导体表面的软性电浆表面处理中使用电子束电浆来源，该半导体表面包含Ge或III-V族化合物半导体材料。
申请公布号	TW201515117	申请公布日期	2015.04.16
申请号	TW103131025	申请日期	2014.09.09
申请人	应用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.	发明人	奈纳尼阿尼许 NAINANI, ANEESH;罗佩布山Ｎ ZOPE, BHUSHAN N.;朵夫雷欧尼德 DORF, LEONID;罗夫沙西德 RAUF, SHAHID;班德亚当 BRAND, ADAM;亚伯拉罕马修 ABRAHAM, MATHEW;戴希缪克沙珊克 DESHMUKH, SUBHASH
分类号	H01L21/336(2006.01);H01L21/26(2006.01)	主分类号	H01L21/336(2006.01)
代理机构		代理人	蔡坤财李世章
主权项
地址	美国 US