| 发明名称 |
具有介面层之三五族半导体;III-V SEMICONDUCTOR DEVICE WITH INTERFACIAL LAYER |
| 摘要 |
本发明揭示一种半导体结构，其包括：a.一基板，其包括一III-V材料，及b.一高k介面层，其覆叠该基板，其中该介面层包括一稀土铝酸盐；一种包括该半导体结构之n型FET装置；及一种制造该半导体结构之方法。; an n-type FET device comprising the same; and a method for manufacturing the same. |
| 申请公布号 |
TW201515072 |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
| 申请号 |
TW103125044 |
申请日期 |
2014.07.22 |
| 申请人 |
爱美科公司 IMEC VZW |
发明人 |
林瀚中 LIN, HAN CHUNG;那恩斯 罗拉 NYNS, LAURA;伊诺瓦 斯凡丹 IVANOV, TSVETAN;凡 多普 丹尼斯 VAN DORP, DENNIS |
| 分类号 |
H01L21/28(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L29/20(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
比利时 BE; |
