非挥发性记忆体结构;NONVOLATILE MEMORY STRUCTURE

摘要

一种非挥发性记忆体结构，包含有一P型基底；一N型井，设于该P型基底中；以及一PMOS储存电晶体，设于该N型井上。该PMOS储存电晶体包含有一浮置闸极以及一辅助闸极，紧邻着该浮置闸极的一侧设置，其中该浮置闸极以及该辅助闸极共同位于该PMOS储存电晶体的一浮置闸极通道上。该辅助闸极与该浮置闸极之间有一空隙，使得该辅助闸极与该浮置闸极至少在该浮置闸极通道正上方是彼此不相连、互相分隔开来。