发明名称 |
移転防止機能を有する脆弱な高周波RFID電子タグ及びその製造方法 |
摘要 |
本発明は移転防止機能を有する脆弱な高周波RFID電子タグ及びその製造方法を開示する。タグは支持基材、第1接着層、樹脂フィルム、エッチングアンテナ層、チップ、第1絶縁層、導電性回路層、第2接着層及びパターン支持層を含む。樹脂フィルムは支持基材とエッチングアンテナ層との間に位置し、エッチングアンテナ層はエッチング工程を経て形成された銅箔又はアルミニウム箔である。導電性回路層とエッチングアンテナ層の両方で電子タグの複合高周波アンテナを構成し、導電性回路層はエッチングアンテナ層のジャンパ線の導通を実現させ、第1絶縁層は導電性回路層とエッチングアンテナ層との間に配置され、チップはエッチングアンテナ層と互いに連結し、エッチングアンテナ層、導電性回路層、第1絶縁層及びチップがコア材料モジュールを構成し、パターン支持層が第2接着層を介してコア材料モジュール全体の一側に接着されている。本発明は電子タグ全体の偽造防止性を確保し、製品の安全性を大幅に向上させる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2015511352(A) |
申请公布日期 |
2015.04.16 |
申请号 |
JP20140555069 |
申请日期 |
2013.03.14 |
申请人 |
シャメン インノヴ エレクトロニクス カンパニー リミテッドXIAMEN INNOV ELECTRONICS CO.,LTD. |
发明人 |
リ ウェンヂョン |
分类号 |
G06K19/073;B42D25/30;B42D25/305;G06K19/077 |
主分类号 |
G06K19/073 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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