半导体装置和其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明的课题之一在于：提供使用不包含In、Ga等的稀有金属而包含Zn的氧化物层的电晶体；在使用包含Zn的氧化物层的电晶体中，减少截止电流并使电特性稳定。在使用包含Zn的氧化物层的电晶体中，在氧化物层上层叠包含绝缘氧化物的氧化物半导体层并以氧化物层和源极电极层或汲极电极层隔着包含绝缘氧化物的氧化物半导体层重叠的实施例形成电晶体，从而可以减少电晶体的临界值电压的不均匀并使电特性稳定。