| 摘要 |
<p>Verfahren zur In-Situ-Temperaturmessung für einen Waferbehandlungsreaktor, wie zum Beispiel einen chemischen Dampfphasenabscheidungsreaktor 10, das wünschenswert die Schritte des Erwärmens des Reaktors, bis der Reaktor eine Waferbehandlungstemperatur erreicht, und des Drehens eines Waferträgerelements 40 innerhalb des Reaktors um eine Rotationsachse 42 aufweist. Das Verfahren weist wünschenswert ferner während des Drehens um die Rotationsachse 42 des Waferträgerelements 40 das Erzielen erster Betriebstemperaturmessungen unter Verwendung eines ersten Betriebspyrometers 71, das Strahlung von einem ersten Abschnitt des Waferträgerelements empfängt, und das Erzielen erster Wafertemperaturmessungen unter Verwendung einer Wafertemperaturmessvorrichtung 80, die Strahlung von mindestens einem Wafer 46 empfängt, auf, wobei sich die Wafertemperaturmessvorrichtung an einer ersten Position A befindet.</p> |
