摘要 |
<p>Die Beschreibung umfasst ein Verfahren zur Sperrschichttemperaturmessung eines Mosfets 3, wobei der Mosfet 3 eine Bodydiode 10, 11 aufweist, umfassend die Schritte: Einprägen 15 eines Stroms durch die Bodydiode 10, 11 während der Mosfet 3 ausgeschaltet ist und während kein Freilaufstrom über die Bodydiode 10, 11 fließt und Messen 16 der Vorwärtsspannung der Bodydiode 10, 11 während der Strom eingeprägt ist.</p> |