Epitaktisches Substrat, Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

摘要

Die vorliegende Erfindung schließt ein: ein Silizium-basiertes Substrat (11); und eine Epitaxialwachstumsschicht (12), die eine Konfiguration aufweist, in der erste und zweite Nitridhalbleiterschichten mit unterschiedlichen Gitterkonstanten und thermischen Expansionskoeffizienten abwechselnd laminiert sind, und auf dem Silizium-basierten Substrat (11) so angeordnet ist, dass eine Filmdicke davon graduell an einem Teil der äußeren Kante reduziert ist. Als ein Ergebnis werden ein epitaktisches Substrat und eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, in denen die Bildung von Rissen an dem Teil der äußeren Kante unterdrückt wird, und ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung.