LDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LDMOS器件，其漂移区由第一漂移区和第二漂移区组成，第一漂移区由形成于硅衬底的选定区域中的离子注入区组成；第二漂移区由形成于硅衬底表面上的掺杂多晶硅组成，第二漂移区叠加在第一漂移区上，漏区形成在第二漂移区中。本发明的第二漂移区的设置能够使得整个漂移区的厚度增加，从而能降低整个漂移区的寄生电阻越小，并能有效增加器件的线性电流、降低器件的导通电阻；本发明器件还能保持较高的击穿电压且工艺成本低。本发明还公开了一种LDMOS器件的制造方法。

主权项

一种LDMOS器件，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的硅衬底；第一漂移区，由形成于所述硅衬底的选定区域中的第二导电类型离子注入区组成；沟道区，由形成于所述硅衬底的选定区域中的第一导电类型阱区组成，所述第一漂移区的第一侧和所述沟道区在横向上相接触；多晶硅栅，形成于所述沟道区上方，所述多晶硅栅和所述硅衬底间隔离有栅介质层，所述多晶硅栅覆盖部分所述沟道区并延伸到所述第一漂移区上方，被所述多晶硅栅覆盖的所述沟道区表面用于形成沟道；源区，由形成于所述沟道区中的第二导电类型重掺杂区组成，所述源区和所述多晶硅栅的第一侧自对准；第二漂移区，由形成于所述硅衬底表面上的第二导电类型掺杂的多晶硅组成，所述第二漂移区位于所述第一漂移区的上方、且所述第二漂移区的底部和所述第一漂移区相接触并叠加形成LDMOS器件的漂移区；所述第二漂移区的第一侧靠近所述多晶硅栅的第二侧且所述第二漂移区的第一侧和所述多晶硅栅的第二侧相隔一段距离，所述第二漂移区的第二侧向远离所述多晶硅栅的第二侧的方向延伸；漏区，由形成于所述第二漂移区选定区域中的第二导电类型重掺杂区组成，所述漏区靠近所述第二漂移区的第二侧且所述漏区和所述多晶硅栅的第二侧相隔一横向距离；通过调节所述第二漂移区的厚度调节所述LDMOS器件的导通电阻，所述第二漂移区的厚度越大、所述LDMOS器件的漂移区的寄生电阻越小、所述LDMOS器件的导通电阻越小。