发明名称 |
多共源共栅放大器偏置技术 |
摘要 |
用于生成多共源共栅放大器的偏置电压的技术。在一个方面,提供了多共源共栅偏置网络,该偏置网络中的每一个晶体管都是多共源共栅放大器中的相应晶体管的复制,这实现了对多共源共栅放大器中的晶体管的准确偏置。在又一方面,多共源共栅放大器的供电电压是与复制偏置网络的供电电压分开提供的,以有利地将放大器供电电压的变化与偏置网络供电电压解耦。在又一方面,多共源共栅放大器中的晶体管的偏置电压可通过调整耦合至晶体管栅极偏置的电阻性分压器的阻抗来配置。由于放大器的增益取决于共源共栅放大器的偏置电压,因而放大器的增益可有利地以此方式调整而无需将可变增益元件直接引入到放大器信号路径中。 |
申请公布号 |
CN104521138A |
申请公布日期 |
2015.04.15 |
申请号 |
CN201380042002.0 |
申请日期 |
2013.08.08 |
申请人 |
高通股份有限公司 |
发明人 |
W·苏;C·纳拉斯隆;G·尹;A·哈德吉克里斯托斯 |
分类号 |
H03F1/22(2006.01)I;H03F3/193(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
唐杰敏 |
主权项 |
一种装置,包括:包括第一和第二共源共栅偏置晶体管与输入偏置晶体管的多共源共栅偏置晶体管,所述输入偏置晶体管包括耦合至所述第一共源共栅偏置晶体管的源极的漏极;以及耦合至第一供电电压的用于分别生成所述第一和第二共源共栅偏置晶体管的偏置电压的第一和第二阻抗网络,所述第一和第二阻抗网络中的至少一个包括用于调整所述第一和第二共源共栅偏置晶体管的至少一个偏置电压的可配置阻抗。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |